Étude en dynamique moléculaire par approximation des liaisons fortes de l'influence des défauts ponctuels dans la relaxation du silicium amorphe
Thèse ou mémoire / Thesis or Dissertation
Date de publication
Autrices et auteurs
Identifiant ORCID de l’auteur
Contributrices et contributeurs
Direction de recherche
Publié dans
Date de la Conférence
Lieu de la Conférence
Éditeur
Cycle d'études
Maîtrise / Master's
Programme
Affiliation
Mots-clés
- Silicium amorphe
- Amorphous silicon
- Coordination
- Coordination
- Volume de Voronoï
- Voronoi volume
- Charge
- Charge
- Dynamique moléculaire
- Molecular dynamics
- Approximation des liaisons fortes
- Tight-binding
- Défauts ponctuels
- Point defect
- Réseaux aléatoires continus
- Continuous random network
- Lacunes
- Vacancy
Organisme subventionnaire
Résumé
Résumé
Table des matières
Notes
Mémoire numérisé par la Division de la gestion de documents et des archives de l'Université de Montréal.
Notes
Autre version linguistique
Ensemble de données lié
Licence
Approbation
Évaluation
Complété par
Référencé par
Ce document diffusé sur Papyrus est la propriété exclusive des titulaires des droits d'auteur et est protégé par la Loi sur le droit d'auteur (L.R.C. (1985), ch. C-42). Sauf si le document est diffusé sous une licence Creative Commons, il ne peut être utilisé que dans le cadre d'une utilisation équitable et non commerciale comme le prévoit la Loi (i.e. à des fins d'étude privée ou de recherche, de critique ou de compte-rendu). Pour toute autre utilisation, une autorisation écrite des titulaires des droits d'auteur sera nécessaire.